收藏本站
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HR5 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA
f
(MHz)
Zsource
(?)
Zload
(?)
1.8
(1)
34.4 + j192.0
(1)
5.00 - j4.00
(1)
27
12.5 + j7.00
7.00 + j0.70
40
5.75 + j5.06
5.39 + j2.62
81.36
4.04 + j5.93
4.89 + j2.95
88
2.20 + j6.70
4.90 + j2.90
98
2.30 + j6.90
4.10 + j2.50
108
2.30 + j7.00
4.40 + j3.60
144
1.60 + j5.00
3.90 + j1.50
175
1.33 + j3.90
3.50 + j2.50
230
1.29 + j3.54
2.12 + j2.68
352
0.98 + j1.45
1.82 + j2.05
500
0.29 + j1.47
1.79 + j1.80
1. Simulated data.
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to drain, balanced configuration.
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
--
-- +
+
Zsource
Zload
50
?
50
?
Figure 12. Source and Load Impedances Optimized for IRL, Power and Efficiency — Push--Pull
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRFE6VP6300HSR3 FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4
MRFE6VP8600HSR6 RF FET LDMOS 50V NI1230S
MRFG35002N6AT1 TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5
MRFG35002N6T1 TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
MRFG35003ANR5 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003ANT1 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003M6T1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35003MT1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
相关代理商/技术参数
MRFE6VP6300HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP6300HR3_11 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRFE6VP6300HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP6300HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP6300HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP8600H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRFE6VP8600HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP8600HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray